Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті

Вчені з Фуданьського університету встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, розробивши флеш-пам’ять, яка може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей новий пристрій, названий PoX, є енергонезалежним і виявився набагато швидшим за інші сучасні технології пам’яті, такі як SRAM і DRAM. Йому потрібно лише 1 пікосекунду для запису одного біта, що робить його в 2,5 рази швидшим за найшвидші аналоги. У процесі розробки цієї технології вчені використовували алгоритми штучного інтелекту, що допомогли оптимізувати умови тестування та прискорити розвиток пристрою. Зараз команда вчених працює над тим, щоб перетворити цей пристрій на комерційний продукт. Результати їх дослідження були опубліковані у журналі Nature.