Науковці з університету Фудань у Шанхаї розробили гібридний чип, який об’єднує тонкі двовимірні модулі пам’яті із звичайною кремнієвою архітектурою. Цей чип побудований на основі системи Atom2Chip, яка дозволяє інтегрувати моношар дисульфіду молібдену на поверхню чипа з кремнієвими структурами. Цей матеріал має всього один атомний шар товщиною. Для захисту від пошкоджень розроблено спеціальну систему захисту та архітектуру, яка забезпечує зв’язок між двовимірними схемами і кремнієвою базою. Прототип цього чипа – NOR-флеш-пам’ять обсягом 1 кілобайт, який працює на частоті 5 мегагерц. Час програмування або очищення цієї пам’яті становить всього 20 наносекунд. Інтеграція двовимірних матеріалів із кремнієвими структурами допомагає подолати обмеження мініатюризації напівпровідників і відкриває нові перспективи для створення тонких та потужних електронних компонентів. Ця технологія може лежати в основі нового покоління процесорів та мікросхем, які поєднують компактність і продуктивність.
У Китаї створили чип пам’яті завтовшки в один атом
